第110章：立场

离子注入机原理：

离子注入机由离子源、质量分析qi、加速qi、四级透镜、扫描系统和靶室组成，可以gen据实际需要省去次要bu位。离子源是离子注入机的主要bu位，作用是把需要注入的元素气态粒子电离成离子，决定要注入离子的zhong类和束liu强度。离子源直liu放电或高频放电产生的电子作为轰击粒子，当外来电子的能量高于原子的电离电位时，通过碰撞使元素发生电离。碰撞后除了原始电子外，还出现正电子和二次电子。正离子进入质量分析qi选出需要的离子，再经过加速qi获得较高能量，由四级透镜聚焦后进入靶室，进行离子注入。

高能离子注入的优势：

多样xing：原则上任何元素都可以作为注入离子；形成的结构可不受热力学参数（扩散、溶解度等）限制；

不改变：不改变工件的原有尺寸和cu糙度等；适合于各类jing1密零件生产的最后一dao工序；

牢固xing：注入离子直接和材料表面原子或分子结合，形成改xing层，改xing层和基底材料没有清晰的界面，结合牢靠，不存在脱落的现象；

不受限：注入过程在材料温度低于零下、高到几百上千度都可以进行；可对那些普通方法不能chu1理的材料进行表面强化，如塑料、回火温度低的钢材等；

应用：

离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备，离子注入是对半导ti表面附近区域进行掺杂的技术，其目的是改变半导ti的载liu子nong1度和导电类型。离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量、注入角度、注入shen度、横向扩散等方面进行jing1确的控制，克服了常规工艺的限制，提高了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命，降低了成本和功耗。离子注入机广泛用于掺杂工艺，可以满足浅结、低温和jing1确控制等要求，已成为集成电路制造工艺中必不可少的关键装备。