第109章：画面太美
郭东和他们几人，到了实验车间，郭东作为现场最不懂ye晶技术的人，他就问其他几人：“ye晶是怎么控制开关的，它又是怎么显示电路图形的？”
“ye晶是早在1888年由奥地利植物学家莱尼兹发现的一zhong在常温下介于固态和ye态之间的一zhong化合物质，由于当时并没有这类物质的称呼，因此他就取名ye晶，就是ye态固ti的意思。
后来，直到1968年，美国rca公司的沙诺夫研发中心的工程师，发现ye晶受电压的影响而改变其排列顺序，他们利用这一现象而发明了第一块ye晶屏。
至于怎么显示图形，则是把ye晶置于平行的玻璃面板沟槽中，这样的玻璃面板有两块，前后两排沟槽是呈九十度垂直的，这样就构成了一个个的单元格，也就是像素点。在两排沟槽的中间，是呈网状的透明电极。
我们把横向排列的沟槽通电，那么这条沟槽中的ye晶它们就会沿沟槽有顺序地排列，这时背景光源就可以通过它们。但是还有一层纵向排列的ye晶它们没通电，因此它们是呈混luan排列的，光线还是通不过。如果这时，我们给纵向排列的某一条沟槽通电，那么纵向排列和横向排列相jiao的一个点，这里光线就可以真正通过了，许多个这样的亮点就构成了图形。
当然真正的ye晶技术不会这么简单，但我们现在就只要这么简单的技术就可以了。复杂了反而不好，会影响图像jing1度。”说到ye晶就是王波的菜，因此他小小的向郭东科普了一番。
“原来是这样！这下我明白了。”郭东边说边点tou，好像已经完全明白了的样子。
只要使用第一代ye晶技术当然很简单，况且他们需要的比第一代技术更简单，因此没有什么难度。他们唯一要解决的是沟槽的jing1度，使像素点更细密。
不过相对于拥有纳米级加工工艺技术的chang胜jing1工来说，就太简单了。因为沟槽再怎么jing1密，也只有u米级，这是ye晶化合物分子的大小所决定的。
当第一块ye晶屏试制出来，在了解了技术细节之后，郭东就感叹说：“看来这项技术的缺点也很明显，它只能达到u米级jing1度，我们算是白忙活了。”
“也不能这么说，其实日常生活中，低级别的rui片用的是最多的，比如普通的小家电所用的rui片以及普通的工控rui片。我们能减少低级别rui片的工序也是了不得的进步。”这时，权威专家洪涛就站出来给大家打气了。
“唉！好吧！我们先试试吧！还不知dao能不能代替激光刻蚀呢？”郭东又发感慨了，真是一个多愁善感的人。
要试很简单，因为不是硅晶圆因此无须无氧环境，只要一间暗室就可以了。暗室也不是真的暗，黄光还是可以的。
他们实验了一下，情况还好，只要掩模板与ye晶屏隔得足够近，大概几纳米的样子，光的漫散现象还是不严重。也就是说用ye晶屏代替激光蚀刻掩模板获得了成功，虽然只能用在低制程rui片技术上，但是因为图形转移快捷，可以说是非常有用的一项技术了。
接下来就是真正研制光刻机了。由于一些技术难点郭东他们还是chang胜jing1工技术bu的时候就早已解决了，因此他们直接进入了设计环节。
为了最大程度的提高效率和减少氩气用量，郭东要技术员将工作台里面的活动机构的最大行程设置为5毫米。也就是说从最上面的激光到最下面的基片面只有5毫米，这个5毫米中间还有一个有缺口的托架，托架是放掩模板的平台，它只能上下移动。而那个缺口就是为微型机械臂输送掩模板用的。
掩模板至少得有一毫米厚，托架也至少得有二毫米厚，加上微型机械臂占去了一点点厚度，也就是说在输送掩模板的过程中，与上面的激光tou和下面的基片上下相差不到一毫米了，玩的就是这么jing1密。
当然硅晶圆基片，它是最后才放进来的，而且微型机械臂是从下面输送进来的，不占用这5毫米的工作空间。
硅晶圆基片台是真正的固定，它不需要移动。唯一能上下左右移动的就是激光tou。激光tou不止一个，而是一排。就像刷卡一样，它只要刷一次就够了。
看起来很简单，其实他最难的是怎么控制掩模板与基片之间只相差几纳米，激光tou与掩模板之间只相差几纳米。就是这一个难点就难住了许公司，这需要纳米级加工工艺才能zuo到。而恰好chang胜投资集团就能zuo到，dao理就是这么简单。
掩模板不止一块，而是有许多块。因此他有另外一tao安置机构，就像机床的刀ju换刀系统一样。为了最大限度地节省空间，它是平行环绕在工作台的周围的，它能环绕转圈，能gen据电脑的指令，将下块需要的掩模板输送到微型机械臂的面前。原理和机床的数控换刀系统是差不多的。
为什么要把工作台设置的这么薄呢？就是为了减少上下移动所花费的时间，还有也减少了运动势能，这就相应的增加了上下移动的控制jing1度。
到了这时，如果仅仅从光刻机的角度看，chang胜投资集团的rui片制程工艺已经超过了2017年的世界水平。郭东他们设计的光刻机甚至能达到10纳米以内的制程工艺，当然激光tou还需改进成为聚焦式激光tou。但是从纯机械的角度看，他们是真的达到了。
不过rui片制程是一个系统的工程，不是简单的机械jing1度就够了，其实最制约制程工艺的是化学蚀刻环节。在以后的章节中我会祥细讲解。
在以往的工业文中，有作者提到浸run式激光技术，能翻倍提高蚀刻jing1度。那是因为当时所chu1的时代，激光jing1度低所导致的，chang胜投资集团所用的极shen紫外光是2016年才研发的技术，激光jing1度一下子提高了几十倍，远远不是什么浸run式激光tou技术所能比拟的。
光刻机研制成功了，郭东他们进行了多次实验，发现蚀刻jing1度非常高，已经完全达到或超过了要求。洪涛甚至直言自家的技术已经远远超过了美国，他能这么说，是有dao理的。
他是留美电子工程博士，他在美国见过光刻机实物。也知dao他们的rui片制程工艺级别。虽然已经过了好多年，但他gen据mo尔定律推测，自家的技术也远远超过了美国几个量级。
郭东他们第一时间将这个好消息报告给了沈丹青，沈丹青ma上就来到了chang胜jing1工。他在现场认真听取了郭东他们的讲解，不住的满意的点tou，就像小ji啄米一样的勤快，完全没有意识到这样会不会伤脖子。
他太高兴了，光刻机直到2017年都是中国的一块短板，如今他们公司已经研制出来了，可以说已经为中国补上了短板，他能不高兴吗？这可不是钱所能zuo到的。他想象未来中国每年几千亿美元的rui片进口额度没有了，那中国又是怎样的一个情况呢？画面太美，以致于他不敢再想象了。
他收拢心思、稳定了情绪就又问郭东dao：“离子注入机研制得怎么样了？”
“对不起！老板，我不知dao？”郭东被问得哑口无言，他的心思全用在研制光刻机上了，哪里知dao另外一组的情况。
幸好这时卢汝成赶忙来补救，他急忙向老板说dao：“老板，我们分组了，我们一门心思都在研制光刻机上了，一有了结果就ma上报告给你了。因此还不知dao另外一组的情况。请您恕罪。”
听到卢汝成的解说，沈丹青的脸色立刻多云转晴了，于是他微笑地对他们说：“是这样就怪不得你们了，两耳不闻窗外事，这是所有科研人员的通病嘛！哈哈哈哈！好啦！你们这边解决了，我们去看看另外一组的情况吧！”
可是他的好心情没有持续多久，到了另外一组一了解，他们居然还在理论研究阶段，令他几乎是咆哮似的发怒了：“你们是怎么搞的？另外一组的光刻机已经研制成功了，甚至还附带研发了ye晶屏蚀刻技术，你们居然还没有开始实验！办事太拖沓了。看来你们是没有一个好tou，都各自为政，只顾得扯pi了。这样吧！由于离子注入机的实际情况，物理研究所所占的比重最大，我现在就明确规定，物理研究所的王所chang为这次研制任务的负责人。还是采取事业bu制度，王所chang为事业bubuchang，在整个集团内，他有权调动任何人和材料。任何人不得反对和阻扰，否则我会重chu1。”
然后他又用严厉的语气对王卫红说：“王所chang，我已给你最大的权利了，我只要你赶快给我结果，你能zuo到吗？”
王卫红以及在场的除了光刻机研制组的人早就给老板的怒气给吓住了，老板又如此严厉的问他，他只能哆哆嗦嗦地回答dao：“能…我能…老板，我一定能。”
最后一句，它既是给老板的回答又是给自己壮胆。老板的气场太强大了，他一个没有什么资历的新任所chang，有点扛不住啊！
…
郭东和他们几人，到了实验车间，郭东作为现场最不懂ye晶技术的人，他就问其他几人：“ye晶是怎么控制开关的，它又是怎么显示电路图形的？”
“ye晶是早在1888年由奥地利植物学家莱尼兹发现的一zhong在常温下介于固态和ye态之间的一zhong化合物质，由于当时并没有这类物质的称呼，因此他就取名ye晶，就是ye态固ti的意思。
后来，直到1968年，美国rca公司的沙诺夫研发中心的工程师，发现ye晶受电压的影响而改变其排列顺序，他们利用这一现象而发明了第一块ye晶屏。
至于怎么显示图形，则是把ye晶置于平行的玻璃面板沟槽中，这样的玻璃面板有两块，前后两排沟槽是呈九十度垂直的，这样就构成了一个个的单元格，也就是像素点。在两排沟槽的中间，是呈网状的透明电极。
我们把横向排列的沟槽通电，那么这条沟槽中的ye晶它们就会沿沟槽有顺序地排列，这时背景光源就可以通过它们。但是还有一层纵向排列的ye晶它们没通电，因此它们是呈混luan排列的，光线还是通不过。如果这时，我们给纵向排列的某一条沟槽通电，那么纵向排列和横向排列相jiao的一个点，这里光线就可以真正通过了，许多个这样的亮点就构成了图形。
当然真正的ye晶技术不会这么简单，但我们现在就只要这么简单的技术就可以了。复杂了反而不好，会影响图像jing1度。”说到ye晶就是王波的菜，因此他小小的向郭东科普了一番。
“原来是这样！这下我明白了。”郭东边说边点tou，好像已经完全明白了的样子。
只要使用第一代ye晶技术当然很简单，况且他们需要的比第一代技术更简单，因此没有什么难度。他们唯一要解决的是沟槽的jing1度，使像素点更细密。
不过相对于拥有纳米级加工工艺技术的chang胜jing1工来说，就太简单了。因为沟槽再怎么jing1密，也只有u米级，这是ye晶化合物分子的大小所决定的。
当第一块ye晶屏试制出来，在了解了技术细节之后，郭东就感叹说：“看来这项技术的缺点也很明显，它只能达到u米级jing1度，我们算是白忙活了。”
“也不能这么说，其实日常生活中，低级别的rui片用的是最多的，比如普通的小家电所用的rui片以及普通的工控rui片。我们能减少低级别rui片的工序也是了不得的进步。”这时，权威专家洪涛就站出来给大家打气了。
“唉！好吧！我们先试试吧！还不知dao能不能代替激光刻蚀呢？”郭东又发感慨了，真是一个多愁善感的人。
要试很简单，因为不是硅晶圆因此无须无氧环境，只要一间暗室就可以了。暗室也不是真的暗，黄光还是可以的。
他们实验了一下，情况还好，只要掩模板与ye晶屏隔得足够近，大概几纳米的样子，光的漫散现象还是不严重。也就是说用ye晶屏代替激光蚀刻掩模板获得了成功，虽然只能用在低制程rui片技术上，但是因为图形转移快捷，可以说是非常有用的一项技术了。
接下来就是真正研制光刻机了。由于一些技术难点郭东他们还是chang胜jing1工技术bu的时候就早已解决了，因此他们直接进入了设计环节。
为了最大程度的提高效率和减少氩气用量，郭东要技术员将工作台里面的活动机构的最大行程设置为5毫米。也就是说从最上面的激光到最下面的基片面只有5毫米，这个5毫米中间还有一个有缺口的托架，托架是放掩模板的平台，它只能上下移动。而那个缺口就是为微型机械臂输送掩模板用的。
掩模板至少得有一毫米厚，托架也至少得有二毫米厚，加上微型机械臂占去了一点点厚度，也就是说在输送掩模板的过程中，与上面的激光tou和下面的基片上下相差不到一毫米了，玩的就是这么jing1密。
当然硅晶圆基片，它是最后才放进来的，而且微型机械臂是从下面输送进来的，不占用这5毫米的工作空间。
硅晶圆基片台是真正的固定，它不需要移动。唯一能上下左右移动的就是激光tou。激光tou不止一个，而是一排。就像刷卡一样，它只要刷一次就够了。
看起来很简单，其实他最难的是怎么控制掩模板与基片之间只相差几纳米，激光tou与掩模板之间只相差几纳米。就是这一个难点就难住了许公司，这需要纳米级加工工艺才能zuo到。而恰好chang胜投资集团就能zuo到，dao理就是这么简单。
掩模板不止一块，而是有许多块。因此他有另外一tao安置机构，就像机床的刀ju换刀系统一样。为了最大限度地节省空间，它是平行环绕在工作台的周围的，它能环绕转圈，能gen据电脑的指令，将下块需要的掩模板输送到微型机械臂的面前。原理和机床的数控换刀系统是差不多的。
为什么要把工作台设置的这么薄呢？就是为了减少上下移动所花费的时间，还有也减少了运动势能，这就相应的增加了上下移动的控制jing1度。
到了这时，如果仅仅从光刻机的角度看，chang胜投资集团的rui片制程工艺已经超过了2017年的世界水平。郭东他们设计的光刻机甚至能达到10纳米以内的制程工艺，当然激光tou还需改进成为聚焦式激光tou。但是从纯机械的角度看，他们是真的达到了。
不过rui片制程是一个系统的工程，不是简单的机械jing1度就够了，其实最制约制程工艺的是化学蚀刻环节。在以后的章节中我会祥细讲解。
在以往的工业文中，有作者提到浸run式激光技术，能翻倍提高蚀刻jing1度。那是因为当时所chu1的时代，激光jing1度低所导致的，chang胜投资集团所用的极shen紫外光是2016年才研发的技术，激光jing1度一下子提高了几十倍，远远不是什么浸run式激光tou技术所能比拟的。
光刻机研制成功了，郭东他们进行了多次实验，发现蚀刻jing1度非常高，已经完全达到或超过了要求。洪涛甚至直言自家的技术已经远远超过了美国，他能这么说，是有dao理的。
他是留美电子工程博士，他在美国见过光刻机实物。也知dao他们的rui片制程工艺级别。虽然已经过了好多年，但他gen据mo尔定律推测，自家的技术也远远超过了美国几个量级。
郭东他们第一时间将这个好消息报告给了沈丹青，沈丹青ma上就来到了chang胜jing1工。他在现场认真听取了郭东他们的讲解，不住的满意的点tou，就像小ji啄米一样的勤快，完全没有意识到这样会不会伤脖子。
他太高兴了，光刻机直到2017年都是中国的一块短板，如今他们公司已经研制出来了，可以说已经为中国补上了短板，他能不高兴吗？这可不是钱所能zuo到的。他想象未来中国每年几千亿美元的rui片进口额度没有了，那中国又是怎样的一个情况呢？画面太美，以致于他不敢再想象了。
他收拢心思、稳定了情绪就又问郭东dao：“离子注入机研制得怎么样了？”
“对不起！老板，我不知dao？”郭东被问得哑口无言，他的心思全用在研制光刻机上了，哪里知dao另外一组的情况。
幸好这时卢汝成赶忙来补救，他急忙向老板说dao：“老板，我们分组了，我们一门心思都在研制光刻机上了，一有了结果就ma上报告给你了。因此还不知dao另外一组的情况。请您恕罪。”
听到卢汝成的解说，沈丹青的脸色立刻多云转晴了，于是他微笑地对他们说：“是这样就怪不得你们了，两耳不闻窗外事，这是所有科研人员的通病嘛！哈哈哈哈！好啦！你们这边解决了，我们去看看另外一组的情况吧！”
可是他的好心情没有持续多久，到了另外一组一了解，他们居然还在理论研究阶段，令他几乎是咆哮似的发怒了：“你们是怎么搞的？另外一组的光刻机已经研制成功了，甚至还附带研发了ye晶屏蚀刻技术，你们居然还没有开始实验！办事太拖沓了。看来你们是没有一个好tou，都各自为政，只顾得扯pi了。这样吧！由于离子注入机的实际情况，物理研究所所占的比重最大，我现在就明确规定，物理研究所的王所chang为这次研制任务的负责人。还是采取事业bu制度，王所chang为事业bubuchang，在整个集团内，他有权调动任何人和材料。任何人不得反对和阻扰，否则我会重chu1。”
然后他又用严厉的语气对王卫红说：“王所chang，我已给你最大的权利了，我只要你赶快给我结果，你能zuo到吗？”
王卫红以及在场的除了光刻机研制组的人早就给老板的怒气给吓住了，老板又如此严厉的问他，他只能哆哆嗦嗦地回答dao：“能…我能…老板，我一定能。”
最后一句，它既是给老板的回答又是给自己壮胆。老板的气场太强大了，他一个没有什么资历的新任所chang，有点扛不住啊！
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